چرخش مغناطو-اپتیکی غیرخطی در نیمه رساناهای چاه کوانتومی

thesis
abstract

در این پایان نامه چرخش مغناطو-اپتیکی غیرخطی (nmor) در نیمه رساناهای چاه کوانتومی مورد بررسی قرار می گیرد. برای همین منظور دو سیستم v-شکل جفت شده را از نیمه رسانای چاه کوانتومی gaas درنظرمی گیریم. در ابتدا با اعمال سه میدان لیزری به سیستم اتمی چاه کوانتومی به مطالعه nmor می پردازیم. نشان می دهیم که در حضور یک میدان مغناطیسی ایستا، جهت قطبش نور کاوشگر بدون جذب در سیستم با القای دو شکستی در محیط می چرخد و این چرخش قطبش نور را می توان با شدت میدان های لیزری و یا میدان مغناطیسی کنترل کرد. همچنین نشان می دهیم که بیشترین شدت نور خروجی با قطبش چرخیده حاصل می شود. سپس به بررسی کنترل nmor در این نیمه رسانای چاه کوانتومی توسط فاز نسبی میدان های لیزری می پردازیم. نتایج به دست آمده نشان می دهد که در حضور میدان مغناطیسی ایستا، جهت قطبش نور کاوشگر در نتیجه القای دوشکستی در محیط می چرخد و نیز nmor قابل توجهی بدون هیچ گونه جذب در سیستم به همراه بیشترین نور خروجی به دست می آید. بدین ترتیب با انتخاب یک فاز مناسب می توانیم دو شکستی و یا دورنگی را در سیستم القا کنیم و همچنین شدت نور خروجی را کنترل کنیم. در این پایان نامه اثر همدوسی اسپین الکترون بر روی nmor نیز بررسی شده است و تاثیر قابل توجه واپاشی این همدوسی نشان داده شده است. ملاحظه می شود که واپاشی همدوسی اسپین الکترون مسئول بخش عمده ای از نور خروجی با قطش چرخیده است. به طور کلی نتایج مطالعات نشان می دهد که چرخش مغناطو-اپتیکی درنیمه رسانای چاه کوانتومی به شدت میدان های لیزری و مغناطیسی، فاز نسبی میدان های همدوس و همچنین به واپاشی همدوسی اسپین الکترون وابسته است.

similar resources

وابستگی انرژی گذارهای اپتیکی در نانوساختارهای چاههای کوانتومی GaN/AlGaN به پهنای سد و چاه کوانتومی

Internal polarizations field which take place in quantum structures of group-III nitrides have an important consequence on their optical properties. Optical properties of wurtzite AlGaN/GaN quantum well (QW) structures grown by MBE and MOCVD on c-plane sapphire substrates have been investigated by means of photoluminescence (PL) and time resolved photoluminescence (TRPL) at low-temperature. PL ...

full text

کنترل فازی چرخش مگنتو اپتیکی غیرخطی در سیستم های کوانتومی

چرخش مغناطو اپتیکی، دوران صفحه قطبش پرتو نور قطبیده ی خطی در طول انتشار آن از یک محیط در حضور میدان مغناطیسی استاتیک است. نور قطبیده ی خطی می تواند به دو مولفه ی قطبیده ی دایروی با دامنه های برابر و فاز مخالف تجزیه شود. منشأ فیزیکی این پدیده اختلاف بین ضرایب شکست مختلط دو مولفه ی قطبش دایروی به علت القای نا متقارن توسط میدان مغناطیسی استاتیک است. قسمت حقیقی ضریب شکست، و توصیف کننده ی پاشندگی اس...

وابستگی انرژی گذارهای اپتیکی در نانوساختارهای چاههای کوانتومی gan/algan به پهنای سد و چاه کوانتومی

در این مقاله اثر پهنای سد و پهنای چاه کوانتومی gan/algan بر روی انرژی گذارهای اپتیکی و طیف فتولومینسانس آنها با استفاده از تکنیک فتولومینسانس مورد بررسی قرار گرفته است. مطالعه طیف فتولومینسانس این چاه های کوانتومی در دماهای پایین نشان می دهد که نحوه تغییرات انرژی گذار اپتیکی بر حسب پهنای سد در ساختارهای کوانتومی gan/algan بر خلاف آنچه که در سایر نیمرساناها از قبیل آلیاژهای gaas مشاهده شده, می ب...

full text

و چاه کوانتومی چندتائی InxGa1-xN بررسی مدهای اپتیکی آلیاژ در ناحیه فروسرخ دور In0.5Ga0.5N/GaN

Optical properties of InxGa1-xN alloy and In0.5Ga0.5N/GaN multi quantum wells have been investigated in the region of far infrared. Far-IR reflectivity spectra of In0.5Ga0.5N/GaN multi quantum wells on GaAs substrate have been obtained by oblique incidence p- and s-polarization light using effective medium approximation. The spectra and the dielectric functions response give a good informa...

full text

کلیدزنی اپتیکی فوق سریع پیکوثانیه مبتنی بر قطبش توسط بلورهای فوتونی شامل نیم رساناهای چاه کوانتومی

در این پایان نامه بازتابندگی بلور فوتونی متشکل از نیم رسانا های چاه کوانتومی و عوامل موثر بر آن مورد بررسی قرار گرفت و نشان داده شد که بازتابندگی ساختار برای یک پالس اُپتیکی علاوه بر قطبش آن به قطبش پالس دمش، شدت پالس دمش و تأخیر بین پالس دمش و پالس اُپتیکی بازتابشی از ساختار بستگی دارد. لذا ساختار می تواند به عنوان یک کلید اُپتیکی عمل کند. تمامی کلیدهای فوق سریع گامی به سوی نسل آیندة شبکه های اُپت...

15 صفحه اول

بهینه سازی بهره اپتیکی در لایه های نازک دیودهای لیزری چاه کوانتومی

Advanced diode laser consists of a two dimensional thin layer which is about 10 nanometers size. Optical gain of thin layers has a great deal of importance in light amplification. Thin layers cause a modification in conduction and valance bands of bulk materials. · Subbands have been computed through effective mass equations. As a result of this method, particular effective masses are avai...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه زنجان - دانشکده علوم

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023